IRF530 es un dispositivo MOSFET de canal N.El voltaje de drenaje a fuente ( V DS ) es de 100 V.El voltaje de puerta a fuente ( V gs ) es /- 20V.Puerta a la tensión de umbral ( V g (th) ) es de 2 a 4V.La corriente de drenaje ( I d ) es 14A.La corriente de drenaje pulsada ( I DM ) es 56A.La disipación de potencia es ( PD ) es 88W.Drenaje a la fuente de resistencia en estado ( R DS (ON) ) 16Ω.La corriente de fuga de puerta a fuente ( I GSS ) es de 100 nA.La carga total de la puerta ( Q g ) es de 26 nC.La corriente de drenaje de voltaje de puerta cero ( I DSS ) es 250uA.El tiempo de recuperación inversa ( trr ) es de 150 a 280 ns.La recuperación máxima del diodo ( dv/dt ) es de 5 V/ns.El tiempo de subida ( tr ) es de 34ns.El tiempo de encendido hacia adelante ( t on ) es de 85 a 1.7uc.La unión de resistencia térmica a la carcasa (R th jc) es de 7 ℃/W.La temperatura de unión ( TJ ) está entre -55 y 175 ℃.
