Transistor Mosfet, Canal N, 100V 180A, HY-3810, TO-220
$22.5
$33.3
Máxima disipación de potencia (Pd): 580 WVoltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 VVoltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 30 VCorriente continua de drenaje |Id|: 180 ATemperatura máxima de unión (Tj): 175 °CCaracterísticas:Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 VCarga de la puerta (Qg): 260 nCTiempo de subida (tr): 270 nSConductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2470 pFResistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Transistores