El transistor IRF840 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRF840 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.Valor dinámico dV / dt.Avalancha repetitiva.175 ° C Temperatura de funcionamiento.Fácil de paralelo.Requisito de unidad simple.Aplicaciones:Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumoCaracterísticas:Polaridad del transistor: Canal NVoltaje de drenaje a fuente VDS: 500 VVoltaje de puerta a fuente VGS: ±20 VCorriente continua de drenaje ID: 8 ACorriente de drenaje pulsada IDP: 32 ACorriente de avalancha IAR: 8 ADisipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 WResistencia de activación RDS(on) typ: 0.85 ΩTemperatura de operación mínima: -55 °CTemperatura de operación máxima: 150 °CEncapsulado: TO-220Número: 3
